Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGW80TS65HRC11

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
80 A
Power dissipation
214 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 30 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%750,40 ₽

Сумма · с НДС 22%15 008,00 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 20750,40 ₽
от 30641,32 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGW80TS65HRC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current80 A
Power dissipation214 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge110nC
Turn-on time42ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 214W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.