Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGW80TS65DGC13

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
78 A
Рассеиваемая мощность
214 W
Монтаж
THT — в отверстия
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 120 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%749,92 ₽

Сумма · с НДС 22%14 998,40 ₽

От 20 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 20749,92 ₽
от 30641,99 ₽
от 50621,52 ₽
от 100602,91 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGW80TS65DGC13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current78 A
Рассеиваемая мощность214 W
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge110nC
Turn-on time44ns
Turn-off switching energy0.72mJ
Turn-on switching energy0.76mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 78A; 214W; Eoff: 0.72mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.