Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGW80TS65DGC11

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
40 A
Рассеиваемая мощность
107 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRGW80TS65DGC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current40 A
Рассеиваемая мощность107 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current160 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge110nC
Kind of packagetube
Turn-on time59ns
Turn-off time228ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 107W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.