Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGW80TK65DGVC11

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
39 A
Рассеиваемая мощность
81 W
Монтаж
THT — в отверстия
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 30 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%781,61 ₽

Сумма · с НДС 22%14 850,59 ₽

От 19 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 19781,61 ₽
от 30672,90 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGW80TK65DGVC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current39 A
Рассеиваемая мощность81 W
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge110nC
Turn-on time44ns
Turn-off switching energy0.72mJ
Turn-on switching energy0.76mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 39A; 81W; Eoff: 0.72mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.