Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGW60TS65HRC11

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
64 A
Power dissipation
178 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 450 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%702,81 ₽

Сумма · с НДС 22%14 759,01 ₽

От 21 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 21702,81 ₽
от 30594,54 ₽
от 50571,75 ₽
от 100556,55 ₽
от 200493,87 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGW60TS65HRC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current64 A
Power dissipation178 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge84nC
Turn-on time36ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 64A; 178W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.