Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGW60TS65DGC11

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
60 A
Power dissipation
178 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 905 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%685,48 ₽

Сумма · с НДС 22%15 080,56 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 22685,48 ₽
от 30574,73 ₽
от 50553,73 ₽
от 100538,46 ₽
от 300473,54 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGW60TS65DGC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current60 A
Power dissipation178 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge84nC
Turn-on time37ns
Turn-off switching energy0.49mJ
Turn-on switching energy0.48mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 60A; 178W; TO247-3; Eoff: 0.49mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.