Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGW60TK65DGVC11

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Technology
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650V
Collector current
33A
Power dissipation
72W
Монтаж
THT — в отверстия
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRGW60TK65DGVC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
TechnologyField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650V
Collector current33A
Power dissipation72W
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge84nC
Turn-on time37ns
Turn-off switching energy0.49mJ
Turn-on switching energy0.48mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 33A; 72W; Eoff: 0.49mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.