Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGW50TS65GC13

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
50 A
Рассеиваемая мощность
156 W
Gate-emitter voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 120 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%561,31 ₽

Сумма · с НДС 22%14 594,06 ₽

От 26 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 26561,31 ₽
от 30456,63 ₽
от 50434,97 ₽
от 100418,73 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGW50TS65GC13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current50 A
Рассеиваемая мощность156 W
Gate-emitter voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge73nC
Turn-on time35ns
Turn-off switching energy0.43mJ
Turn-on switching energy0.39mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 50A; 156W; Eoff: 0.43mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.