Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGW50TS65DGC13

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Technology
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650V
Collector current
50A
Power dissipation
156W
Gate-emitter voltage
±30V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRGW50TS65DGC13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
TechnologyField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650V
Collector current50A
Power dissipation156W
Gate-emitter voltage±30V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge73nC
Turn-on time35ns
Turn-off switching energy0.43mJ
Turn-on switching energy0.39mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 50A; 156W; Eoff: 0.43mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.