Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGW50TK65DGVC11

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
30 A
Power dissipation
67 W
Монтаж
THT — в отверстия
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 30 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%722,19 ₽

Сумма · с НДС 22%15 165,99 ₽

От 21 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 21722,19 ₽
от 30613,11 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGW50TK65DGVC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current30 A
Power dissipation67 W
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge73nC
Turn-on time35ns
Turn-off switching energy0.43mJ
Turn-on switching energy0.39mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 30A; 67W; Eoff: 0.43mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.