Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGW40TS65GC13

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
40 A
Power dissipation
136 W
Gate-emitter voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 120 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%560,57 ₽

Сумма · с НДС 22%15 135,39 ₽

От 27 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 27560,57 ₽
от 30449,98 ₽
от 50429,01 ₽
от 100413,75 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGW40TS65GC13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current40 A
Power dissipation136 W
Gate-emitter voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge59nC
Turn-on time33ns
Turn-off switching energy0.3mJ
Turn-on switching energy0.33mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 40A; 136W; Eoff: 0.3mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.