Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGW00TS65GC13

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
96 A
Power dissipation
254 W
Gate-emitter voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 120 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%720,17 ₽

Сумма · с НДС 22%15 123,57 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 21720,17 ₽
от 30613,27 ₽
от 50590,77 ₽
от 100573,89 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGW00TS65GC13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current96 A
Power dissipation254 W
Gate-emitter voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge141nC
Turn-on time52ns
Turn-off time180ns
Turn-off switching energy0.96mJ
Turn-on switching energy1.18mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 96A; 254W; Eoff: 0.96mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.