Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGW00TS65DGC13

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
96 A
Рассеиваемая мощность
254 W
Монтаж
THT — в отверстия
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%845,31 ₽

Сумма · с НДС 22%15 215,58 ₽

От 18 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 18845,31 ₽
от 30736,36 ₽
от 50713,81 ₽
от 100696,91 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGW00TS65DGC13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current96 A
Рассеиваемая мощность254 W
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge141nC
Turn-on time52ns
Turn-off time180ns
Turn-off switching energy0.96mJ
Turn-on switching energy1.18mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 96A; 254W; Eoff: 0.96mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.