Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGW00TK65DGVC11

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
45 A
Power dissipation
89 W
Монтаж
THT — в отверстия
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 470 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%854,77 ₽

Сумма · с НДС 22%15 385,86 ₽

От 18 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 18854,77 ₽
от 30744,60 ₽
от 50721,81 ₽
от 100704,71 ₽
от 200626,83 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGW00TK65DGVC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current45 A
Power dissipation89 W
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge141nC
Turn-on time52ns
Turn-off time180ns
Turn-off switching energy0.96mJ
Turn-on switching energy1.18mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 45A; 89W; Eoff: 0.96mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.