Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGTVX6TS65DGC13

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
144 A
Power dissipation
404 W
Pulsed collector current
144 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 40 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 239,37 ₽

Сумма · с НДС 22%14 872,44 ₽

От 12 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 121 239,37 ₽
от 301 129,95 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGTVX6TS65DGC13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current144 A
Power dissipation404 W
Pulsed collector current144 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge171nC
Turn-on time45ns
Turn-off switching energy1.8mJ
Turn-on switching energy2.65mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 144A; 404W; Eoff: 1.8mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.