Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGTVX2TS65DGC13

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
111 A
Power dissipation
319 W
Монтаж
THT — в отверстия
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 220 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 069,41 ₽

Сумма · с НДС 22%14 971,74 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 141 069,41 ₽
от 30959,24 ₽
от 50934,55 ₽
от 60930,75 ₽
от 100828,18 ₽
от 200820,58 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGTVX2TS65DGC13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current111 A
Power dissipation319 W
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge123nC
Turn-on time49ns
Turn-off time150ns
Turn-off switching energy1.15mJ
Turn-on switching energy2.08mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 111A; 319W; Eoff: 1.15mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.