Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGTV80TS65DGC13

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Technology
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650V
Collector current
78A
Power dissipation
234W
Gate-emitter voltage
±30V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRGTV80TS65DGC13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
TechnologyField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650V
Collector current78A
Power dissipation234W
Gate-emitter voltage±30V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge81nC
Turn-on time39ns
Turn-off switching energy0.71mJ
Turn-on switching energy1.02mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 78A; 234W; Eoff: 0.71mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.