Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGTV60TS65DGC13

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
60 A
Power dissipation
194 W
Монтаж
THT — в отверстия
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 120 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%761,70 ₽

Сумма · с НДС 22%15 234,00 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 20761,70 ₽
от 30649,63 ₽
от 50630,63 ₽
от 100613,54 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGTV60TS65DGC13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current60 A
Power dissipation194 W
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge64nC
Turn-on time33ns
Turn-off switching energy0.5mJ
Turn-on switching energy0.57mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 60A; 194W; Eoff: 0.5mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.