Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGTV60TK65DGVC11

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
20 A
Рассеиваемая мощность
38 W
Корпус
TO3PFM
Gate-emitter voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRGTV60TK65DGVC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current20 A
Рассеиваемая мощность38 W
КорпусTO3PFM
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current120 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge64nC
Kind of packagetube
Turn-on time45ns
Turn-off time201ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 20A; 38W; TO3PFM

Документация

Документы пока не предоставлены.