ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор RGTV00TK65DGC11
ТранзисторИзображение корпуса
- Type of transistor
- IGBT
- Технология
- Field Stop, Trench
- Collector-emitter voltage
- 650 V
- Collector current
- 45 A
- Рассеиваемая мощность
- 94 W
- Gate-emitter voltage
- ±30 V
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 250 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%910,95 ₽
Сумма · с НДС 22%14 575,20 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 16 | 910,95 ₽ | |
| от 30 | 802,23 ₽ | |
| от 50 | 781,61 ₽ | |
| от 100 | 766,62 ₽ | |
| от 200 | 682,27 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RGTV00TK65DGC11 |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | IGBT |
| Технология | Field Stop, Trench |
| Collector-emitter voltage | 650 V |
| Collector current | 45 A |
| Рассеиваемая мощность | 94 W |
| Gate-emitter voltage | ±30 V |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 104nC |
| Turn-on time | 41ns |
| Turn-off switching energy | 0.94mJ |
| Turn-on switching energy | 1.17mJ |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 45A; 94W; Eoff: 0.94mJ
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.