Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGTH80TS65GC13

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
70 A
Power dissipation
234 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки у поставщиков.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRGTH80TS65GC13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current70 A
Power dissipation234 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge79nC
Turn-on time34ns
Turn-off time0.12µs
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 70A; 234W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.