Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGTH80TS65DGC13

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
70 A
Power dissipation
234 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 620 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%718,01 ₽

Сумма · с НДС 22%15 078,21 ₽

От 21 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 21718,01 ₽
от 30609,74 ₽
от 50586,94 ₽
от 100569,85 ₽
от 200505,26 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGTH80TS65DGC13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current70 A
Power dissipation234 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge79nC
Turn-on time34ns
Turn-off time0.12µs
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 70A; 234W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.