Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGTH80TK65GC11

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Technology
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650V
Collector current
31A
Power dissipation
66W
Gate-emitter voltage
±30V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRGTH80TK65GC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
TechnologyField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650V
Collector current31A
Power dissipation66W
Gate-emitter voltage±30V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge79nC
Turn-on time34ns
Turn-off time0.12µs
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 31A; 66W

Документация

Документы пока не предоставлены.