Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGTH60TS65GC13

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Technology
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
58 A
Power dissipation
194 W
Gate-emitter voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRGTH60TS65GC13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
TechnologyField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current58 A
Power dissipation194 W
Gate-emitter voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge58nC
Turn-on time27ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 58A; 194W

Документация

Документы пока не предоставлены.