Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGTH60TS65DGC13

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
58 A
Рассеиваемая мощность
194 W
Монтаж
THT — в отверстия
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 600 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%650,37 ₽

Сумма · с НДС 22%14 308,14 ₽

От 22 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 22650,37 ₽
от 30545,94 ₽
от 50523,96 ₽
от 100507,47 ₽
от 300447,01 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGTH60TS65DGC13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current58 A
Рассеиваемая мощность194 W
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge58nC
Turn-on time27ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 58A; 194W

Документация

Документы пока не предоставлены.