Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGTH50TS65DGC11

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650V
Collector current
25A
Power dissipation
87W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±30V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRGTH50TS65DGC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650V
Collector current25A
Power dissipation87W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30V
Pulsed collector current100A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge49nC
Kind of packagetube
Turn-on time65ns
Turn-off time172ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 25A; 87W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.