Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGTH00TS65GC13

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
85 A
Power dissipation
277 W
Gate-emitter voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 30 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%688,54 ₽

Сумма · с НДС 22%15 147,88 ₽

От 22 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 22688,54 ₽
от 30579,13 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGTH00TS65GC13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current85 A
Power dissipation277 W
Gate-emitter voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge94nC
Turn-on time39ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 85A; 277W

Документация

Документы пока не предоставлены.