Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGTH00TK65DGC11

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
35 A
Power dissipation
72 W
Gate-emitter voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 429 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%354,65 ₽

Сумма · с НДС 22%14 186,00 ₽

От 40 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 40354,65 ₽
от 50348,93 ₽
от 100341,30 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGTH00TK65DGC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current35 A
Power dissipation72 W
Gate-emitter voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge94nC
Turn-on time39ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 35A; 72W

Документация

Документы пока не предоставлены.