Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGT80TS65DGC13

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
70 A
Рассеиваемая мощность
234 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 30 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%711,94 ₽

Сумма · с НДС 22%14 950,74 ₽

От 21 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 21711,94 ₽
от 30602,99 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGT80TS65DGC13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current70 A
Рассеиваемая мощность234 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge79nC
Turn-on time34ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 70A; 234W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.