Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGT60TS65DGC13

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
55 A
Рассеиваемая мощность
194 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 215 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%646,70 ₽

Сумма · с НДС 22%14 227,40 ₽

От 22 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 22646,70 ₽
от 30542,28 ₽
от 50520,29 ₽
от 100505,64 ₽
от 300445,18 ₽
от 500443,35 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGT60TS65DGC13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current55 A
Рассеиваемая мощность194 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge58nC
Turn-on time29ns
Turn-off time0.1µs
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 55A; 194W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.