Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGT50TM65DGC9

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650V
Collector current
13A
Power dissipation
23W
Корпус
TO220NFM
Gate-emitter voltage
±30V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRGT50TM65DGC9
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650V
Collector current13A
Power dissipation23W
КорпусTO220NFM
Gate-emitter voltage±30V
Pulsed collector current75A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge49nC
Kind of packagetube
Turn-on time65ns
Turn-off time210ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 13A; 23W; TO220NFM

Документация

Документы пока не предоставлены.