Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGT50NS65DGC9

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
25 A
Рассеиваемая мощность
97 W
Корпус
TO262
Gate-emitter voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRGT50NS65DGC9
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current25 A
Рассеиваемая мощность97 W
КорпусTO262
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current75 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge49nC
Kind of packagetube
Turn-on time65ns
Turn-off time210ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO262

Документация

Документ производителя