Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGT40NS65DGC9

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
40 A
Рассеиваемая мощность
161 W
Корпус
TO262
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 000 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%319,46 ₽

Сумма · с НДС 22%16 611,92 ₽

От 52 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 52319,46 ₽
от 260286,97 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGT40NS65DGC9
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current40 A
Рассеиваемая мощность161 W
КорпусTO262
Pulsed collector current60 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge40nC
Turn-on time22ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 40A; 161W; TO262

Документация

Документы пока не предоставлены.