Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGT30NL65DGTL

RGT30NL65DGTL
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
15 A
Рассеиваемая мощность
66 W
Корпус
TO263
Gate-emitter voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRGT30NL65DGTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current15 A
Рассеиваемая мощность66 W
КорпусTO263
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current45 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge32nC
Kind of packagereel, tape
Turn-on time40ns
Turn-off time204ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 15A; 66W; TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.