Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGT20TM65DGC9

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
10 A
Power dissipation
25 W
Gate charge
22nC
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRGT20TM65DGC9
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current10 A
Power dissipation25 W
Gate charge22nC
Turn-on time12ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 10A; 25W

Документация

Документы пока не предоставлены.