Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGT16NS65DGTL

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
8 A
Рассеиваемая мощность
47 W
Корпус
LPDS
Gate-emitter voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRGT16NS65DGTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current8 A
Рассеиваемая мощность47 W
КорпусLPDS
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current24 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21nC
Kind of packagereel, tape
Turn-on time27ns
Turn-off time170ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; LPDS

Документация

Документы пока не предоставлены.