ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор RGT16BM65DTL
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 650 V
- Collector current
- 8 A
- Рассеиваемая мощность
- 47 W
- Корпус
- TO252
- Gate-emitter voltage
- ±30 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 64 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%597,93 ₽
Сумма · с НДС 22%597,93 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 597,93 ₽ | |
| от 10 | 388,00 ₽ | |
| от 100 | 271,78 ₽ | |
| от 250 | 239,92 ₽ | |
| от 500 | 219,30 ₽ | |
| от 1000 | 202,43 ₽ | |
| от 2500 | 183,69 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RGT16BM65DTL |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 650 V |
| Collector current | 8 A |
| Рассеиваемая мощность | 47 W |
| Корпус | TO252 |
| Gate-emitter voltage | ±30 V |
| Pulsed collector current | 24 A |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 21nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Turn-on time | 27ns |
| Turn-off time | 170ns |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO252
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.