Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGT00TS65DGC11

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
85 A
Рассеиваемая мощность
277 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 900 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%774,11 ₽

Сумма · с НДС 22%14 708,09 ₽

От 19 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 19774,11 ₽
от 30666,18 ₽
от 50645,71 ₽
от 100628,96 ₽
от 200558,25 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGT00TS65DGC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current85 A
Рассеиваемая мощность277 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge94nC
Turn-on time42ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 85A; 277W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.