Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGS80TSX2GC11

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
80 A
Рассеиваемая мощность
555 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 900 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 190,94 ₽

Сумма · с НДС 22%15 482,22 ₽

От 13 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 131 190,94 ₽
от 301 081,99 ₽
от 501 061,33 ₽
от 601 053,81 ₽
от 100939,23 ₽
от 200931,72 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGS80TSX2GC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current80 A
Рассеиваемая мощность555 W
КорпусTO247-3
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge104nC
Turn-on time49ns
Turn-on switching energy3mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 80A; 555W; TO247-3; 3mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.