Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGS80TS65DHRC11

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
40 A
Рассеиваемая мощность
136 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRGS80TS65DHRC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current40 A
Рассеиваемая мощность136 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current120 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge48nC
Kind of packagetube
Turn-on time62ns
Turn-off time291ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 136W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.