Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGS60TS65DHRC11

RGS60TS65DHRC11
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
30 A
Рассеиваемая мощность
111 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 403 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 561,20 ₽

Сумма · с НДС 22%1 561,20 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 561,20 ₽
от 101 001,70 ₽
от 30897,01 ₽
от 90813,99 ₽
от 120799,55 ₽
от 150788,72 ₽
от 450750,82 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGS60TS65DHRC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current30 A
Рассеиваемая мощность111 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current90 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge36nC
Kind of packagetube
Turn-on time46ns
Turn-off time290ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 30A; 111W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.