Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGS50TSX2DHRC11

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
25 A
Рассеиваемая мощность
197 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRGS50TSX2DHRC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current25 A
Рассеиваемая мощность197 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current75 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge67nC
Kind of packagetube
Turn-on time53ns
Turn-off time345ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 197W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.