Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGS30NL65HRBTL

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
34 A
Рассеиваемая мощность
150 W
Gate-emitter voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 000 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%500,14 ₽

Сумма · с НДС 22%14 003,92 ₽

От 28 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 28500,14 ₽
от 30397,55 ₽
от 50377,40 ₽
от 100359,08 ₽
от 300315,11 ₽
от 1000309,61 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGS30NL65HRBTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current34 A
Рассеиваемая мощность150 W
Gate-emitter voltage±30 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22nC
Turn-on time21ns
Turn-off switching energy0.4mJ
Turn-on switching energy0.36mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 34A; 150W; Eoff: 0.4mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.