Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGE80TS65DGC13

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
63 A
Рассеиваемая мощность
200 W
Gate-emitter voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 120 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%790,63 ₽

Сумма · с НДС 22%15 021,97 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 19790,63 ₽
от 30682,15 ₽
от 50663,76 ₽
от 100647,21 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGE80TS65DGC13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current63 A
Рассеиваемая мощность200 W
Gate-emitter voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge85nC
Turn-on time49ns
Turn-off switching energy0.78mJ
Turn-on switching energy1.09mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 63A; 200W; Eoff: 0.78mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.