Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGE00TS65DGC13

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
74 A
Power dissipation
230 W
Gate-emitter voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 120 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%892,71 ₽

Сумма · с НДС 22%15 176,07 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 17892,71 ₽
от 30782,06 ₽
от 50759,56 ₽
от 100744,55 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGE00TS65DGC13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current74 A
Power dissipation230 W
Gate-emitter voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge104nC
Turn-on time57ns
Turn-off time150ns
Turn-off switching energy1.02mJ
Turn-on switching energy1.66mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 74A; 230W; Eoff: 1.02mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.