Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGCL80TS60DGC11

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
40 A
Рассеиваемая мощность
74 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRGCL80TS60DGC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current40 A
Рассеиваемая мощность74 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current160 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge98nC
Kind of packagetube
Turn-on time114ns
Turn-off time565ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 40A; 74W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.