Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RGA80TSX2HRC11

Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
105 A
Рассеиваемая мощность
468 W
Gate-emitter voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 30 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 588,67 ₽

Сумма · с НДС 22%11 120,69 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 71 588,67 ₽
от 101 428,31 ₽
от 301 320,16 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRGA80TSX2HRC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current105 A
Рассеиваемая мощность468 W
Gate-emitter voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge259nC
Turn-on time94ns
Turn-on switching energy2.58mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 105A; 468W; 2.58mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.