Антава

ONSEMI

Транзистор RFD3055LESM9A

RFD3055LESM9A
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
11 A
Power dissipation
38 W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 745 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%131,06 ₽

Сумма · с НДС 22%131,06 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1131,06 ₽
от 7103,33 ₽
от 1099,53 ₽
от 5087,76 ₽
от 10083,58 ₽
от 25076,36 ₽
от 50073,51 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRFD3055LESM9A
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current11 A
Power dissipation38 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance0.107 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11.3nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK

Документация

Документ производителя