ONSEMI
Транзистор RFD16N05LSM9A
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 50 V
- Drain current
- 16 A
- Power dissipation
- 60 W
- Корпус
- DPAK
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 108 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%335,70 ₽
Сумма · с НДС 22%335,70 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 335,70 ₽ | |
| от 5 | 255,44 ₽ | |
| от 10 | 221,49 ₽ | |
| от 50 | 159,23 ₽ | |
| от 100 | 139,72 ₽ | |
| от 500 | 131,09 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RFD16N05LSM9A |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 50 V |
| Drain current | 16 A |
| Power dissipation | 60 W |
| Корпус | DPAK |
| On-state resistance | 56 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 80nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.