Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RF9L120BJFRATCR

Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-12 A
Рассеиваемая мощность
23 W
Корпус
DFN6
Gate-source voltage
-20...5 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 680 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%105,14 ₽

Сумма · с НДС 22%14 509,32 ₽

От 138 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 138105,14 ₽
от 30094,34 ₽
от 50092,11 ₽
от 100081,32 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRF9L120BJFRATCR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-60 V
Drain current-12 A
Рассеиваемая мощность23 W
КорпусDFN6
Gate-source voltage-20...5 V
On-state resistance106 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -60V; -12A; 23W; DFN6

Документация

Документы пока не предоставлены.